ReRAM初创企业Crossbar公司已经发布了一款来自SMIC的嵌入式ReRAM芯片样品，且其目前正在接受评估。
这款芯片设计方案采用非导电非晶硅（简称a-SI）技术。顶部与底部电极之间存在开关层，且该层相对于通过电流的电阻基于离子（银）金属运动。当在两个电极之间施加足够的电压时即可导致电极间形成离子态纳米长丝，而电阻也将因此而改变。
Crossbar公司表示，单一单元可由一个晶体管进行控制，即一晶体管每ReRAM单元——简称为1T1R。各晶体管存在尺寸限制。
另外，为了实现成本效益，在各单元皆拥有单元内选择器机制可用于选择或者不选择个别单元的情况下，则单一晶体管最多可控制2000个ReRAM单元——即1TnR模式。
1T1R模式能夠提供最低延迟水平，而1TnR模式则拥有最理想的单位区域存储密度。
我们可以想象，1T1R模式应该会被用于嵌入式内存应用、演进式缓存； 而1TnR模式则被用于M.2甚至是NVDIMM等形式的SSD等存储驱动器。
ReRAM还采用字节可寻址机制以取代块可寻址。其设计方案适用于那些“通过移除大部分用于垃圾回收的背景内存访问以显著简化存储控制器复杂度”的小型页面。
Crossbar公司将其技术授权至代工厂商，同时亦在与多位潜在合作伙伴探讨推出不同ReRAM内存式芯片的具体方案。
目前，XPoint、ReRAM与NRAM之间的竞争正愈演愈烈，而各供应商及技术初创企业亦纷纷拿出自己的方案以解决DRAM与闪存之间的性能鸿沟。预计接下来Crossbar公司还将公布更多值得关注的新消息。（冯霄霞）
